실시간으로 공정 중파티클을 감지한다.
에칭 공정 스텝 단위로 파티클을 실시간 모니터링하는 인라인 센서.
1 mTorr~2000 mTorr에서 개수+부피 지표를 추정하고, FDC와 즉시 연동합니다.
현재 생산 방식의 한계: 간접 추정과 제한적 측정
에칭 후 후속 공정을 거쳐 계측 장비에서 일부 웨이퍼만 측정하는 현재 방식
장비 개수 제한으로 인한 샘플링 측정
전체 lot 중 소수 웨이퍼만 측정 → 대부분 웨이퍼는 미검
후속 공정 후 늦은 측정
실시간 파티클 문제 감지 불가능, 발견 시점에는 이미 늦음
간접적 파티클 발생 추정
다른 FDC 매개변수 특이점으로만 간접 추정 → 직접 측정 불가
해결책: 전체 웨이퍼 실시간 직접 측정
장수장수마다 파티클을 실시간으로 직접 측정하여 간접 추정이 아닌 정확한 감지가 가능합니다.
반도체 생산 라인에 맞춘 인라인 파티클 센서
제품은 공정 변경 없이 설치되며 1 mTorr~2000 mTorr에서 파티클의 개수와 부피 지표를 실시간 제공합니다. 컨덕턴스를 해치지 않는 설치 철학과 FDC 연동을 기반으로, 이상 이벤트를 스텝 단위로 탐지·대응합니다.
✓ 전체 웨이퍼 실시간 직접 측정 - 샘플링이 아닌 100% 모니터링
진공 동작
1 mTorr~2000 mTorr
개수 + 부피 지표
실시간 정량 분석
공정 압력 변화 없이 설치 가능
컨덕턴스 최소 영향
현재 생산 방식 vs 인라인 센서
현재 생산 방식
- lot 중 일부 웨이퍼만 샘플링 측정
- 후속 공정 후 늦은 발견
- FDC 파라미터로 간접 추정
- 실시간 대응 불가능
인라인 센서
- 전체 웨이퍼 장수장수마다 측정
- 에칭 공정 중 실시간 감지
- 파티클을 직접 측정
- 즉시 대응 및 라인 보호
타사 제품 대비 인라인 적용 장점
넓은 진공 측정 범위
타사 대비 훨씬 넓은 진공 측정 범위(1 mTorr~2000 mTorr)를 제공하여 다양한 공정 조건에서 안정적인 측정이 가능합니다.
긴 PM 주기
레이저 산란 방식 제품은 플라즈마에 의한 렌즈 오염으로 빈번한 렌즈 교체가 필요하지만, 본 제품은 PM 주기가 훨씬 길어 운영 효율성이 뛰어납니다.
높은 신뢰도
렌즈 오염이 발생하지 않아 측정 성능이 안정적으로 유지되며, 이를 통해 시스템 신뢰도가 크게 향상되어 생산 라인의 안정성을 보장합니다.
FDC 연동 불량 방지
FDC와의 연동을 통해 실시간으로 불량을 감지하고 방지할 수 있는 시스템으로 생산 손실을 최소화합니다.
핵심 장점 및 성능
생산성 향상과 손실 최소화를 위한 핵심 기능들
웨이퍼 불량 사전 방지
실시간 모니터링으로 불량품 생산 이전에 문제를 감지하고 차단합니다.
대량 불량(스크랩) 예방
조기 경고 시스템으로 대량 생산 손실을 방지하고 수율을 향상시킵니다.
스텝 특정·원인 규명 가속
정확한 스텝 매칭으로 문제 원인을 빠르게 파악하고 해결합니다.
진공 유지 상태에서 유지보수 가능
정기 PM 일정과 동일하게 유지보수가 가능하여 별도의 생산 중단이 필요하지 않습니다.
주요 성능 지표
검출 입자 속도
~150m/s
압력 범위
1 mTorr ~ 2000 mTorr
입자 크기
20 nm – 10 µm
응답 시간
1초 이내
목표 사양 (파일럿에서 확정 예정)
기술 사양
주요 응용 분야
플라즈마 에칭 장비
반도체 공정의 핵심 에칭 단계에서 실시간 파티클 모니터링
EUV 장비
극자외선 리소그래피 공정의 청정도 관리
디스플레이 산업
LCD, OLED 제조 공정의 파티클 관리
FDC와 실시간으로 연결됩니다
스텝 태깅 기반 실시간 모니터링
각 공정 스텝별로 파티클 상태를 실시간으로 추적하고 기록합니다.
임계치 초과 시 알람 및 인터록
설정된 임계값을 초과하면 즉시 알람을 발생시키고 필요시 공정을 중단합니다.
트렌드/이력으로 공정 변경 효과 검증
축적된 데이터를 통해 공정 개선 효과를 정량적으로 검증합니다.
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